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      EPI芯片(外延芯片)

      采用外延片為載體,進行擴散、玻璃鈍化,得到特殊產品特性,TRR波形振蕩較小,應用上干擾較小。

      外延片是指用外延工藝在襯底表面生長薄膜所生片的單晶硅片。采用外延片為載體,進行擴散、玻璃鈍化,得到特殊產品特性,TRR波形振蕩較小,應用上干擾較小。

      可以滿足客戶在高溫、高濕、強電場等惡劣條件下長時間工作需求。


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      EPI芯片參數配置表



      參數配置表

      Dimension
      Part number

      A

      B

      C

      D

      Limits ±12

      Limits ±2

      Limits ±3

      Limits ±1

      1A

      50

      12

      27

      2

      2~4A

      64

      12

      41

      2

      3~6A

      72

      12

      49

      2

      5~8A

      84

      12

      61

      2

      8~10A

      95

      12

      72

      2


      Parameter

      Symbol

      SF50

      SF64

      SF72

      SF84

      SF95

      Unit

      Peak Inverse V

      PIV

      100 ~ 800

      Volts

      Forward Current

      IF

      1

      3

      5

      8

      10

      Amps

      Forward Volts

      VF

      PIV200V VF spec. 0.9

      PIV400V VF spec. 1.25

      PIV600V VF spec. 1.7

      PIV800V VF spec. 2.2

      Volts

      Reverse recovery time

      TRR

      20~35

      ns

      Surge Current

      IFSM

      30

      100

      125

      Amp/8.3ms

      Leakage at 100℃

      IRFM

      400

      uA

      Junction Temp

      TJ,MAX

      150

      Degrees ℃

      Leakage 25℃

      IRFM

      10.0

      uA

      Storage Temp

      TST

      -65 ------- 150

      Degrees ℃

      Die Attach Temp

      TD

      340~375

      Degrees ℃/2 min

      TRR波形振蕩較小(應用上干擾較小)

      本公司提供PG光刻制程,可根據客制要求電性特性;
      低溫升產品;
      大功率產品;
      白/黃金擴散產品。


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