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      單晶硅片
      規格:3寸至4寸單晶硅N型輕摻硅片,3寸至4寸單晶硅N/P型重摻硅片

      通過摻磷或摻硼,采用MCZ工藝,生產尺寸為3寸、4寸,電阻0.003-55Ω.cm,厚度200-350um等不同N型單晶硅片或P型單晶硅片,并可根據客戶要求生產定位邊單晶硅片,倒角單晶硅片,N型單晶硅片,P型單晶硅片等,電阻率和厚度根據客戶要求生產。

      3寸單晶硅N型輕摻硅片

      3-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

      電阻率Ω·CM

      厚度μm

      晶向

      壽命μs

      外徑mm

      摻雜劑

      形態

      電阻率徑向不均勻性

      線切片

      研磨片

      倒角片

      定位片

      5-10

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      10-15

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      15-20

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      20-25

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      25-30

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      30-35

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      35-40

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      40-45

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      45-50

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      50-55

      200-350

      <111>

      100

      76.2±0.3

      20%

      4寸單晶硅N型輕摻硅片

      4-inch mono crystal silicon N-type light doped wafer

      電阻率Ω·CM

      厚度μm

      晶向

      壽命μs

      外徑mm

      摻雜劑

      形態

      電阻率徑向不均勻性

      線切片

      研磨片

      倒角片

      定位片

      5-10

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      10-15

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      15-20

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      20-25

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      25-30

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      30-35

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      35-40

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      40-45

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      45-50

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      50-55

      200-350

      <111>

      100

      101.6±0.3

      20%

      3寸單晶硅重摻硅片

      3-inch mono crystal silicon heavy doped wafer

      電阻率Ω·CM

      厚度μm

      晶向

      型號

      外徑mm

      摻雜劑

      形態

      電阻率徑向不均勻性

      線切片

      研磨片

      倒角片

      定位片

      0.003-0.005

      200-350

      <111>

      N/P

      76.2±0.3

      /

      /

      /

      0.005-0.008

      200-350

      <111>

      N/P

      76.2±0.3

      /

      /

      /

      0.02-0.03

      200-350

      <111>

      N/P

      76.2±0.3

      /

      /

      /

      4寸單晶硅重摻硅片

      4 inch monocrystal silicon heavy doped wafer

      電阻率Ω·CM

      厚度μm

      晶向

      型號

      外徑mm

      摻雜劑

      形態

      電阻率徑向不均勻性

      線切片

      研磨片

      倒角片

      定位片

      0.003-0.005

      200-350

      <111>

      N/P

      101.6±0.3

      /

      /

      /

      0.005-0.008

      200-350

      <111>

      N/P

      101.6±0.3

      /

      /

      /

      0.02-0.03

      200-350

      <111>

      N/P

      101.6±0.3

      /

      /

      /

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